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标题: 聊一聊场效应管的主要参数2022/6/17 18:07:34 [打印本页]

作者: xiangweilai 时间: 2022-6-17 18:07
标题: 聊一聊场效应管的主要参数2022/6/17 18:07:34
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1、夹断电压VP 当VDS为某一固定数值，使IDS等于某一微小电流时，栅极上所加的偏压VGS就是夹断电压VP。 2、饱和漏电流IDSS 在源、栅极短路条件下，漏源间所加的电压大于VP时的漏极电流称为IDSS。 3、击穿电压BVDS 表示漏、源极间所能承受的比较大电压，即漏极饱和电流开始上升进入击穿区时对应的VDS。 4、直流输入电阻RGS 在一定的栅源电压下，栅、源之间的直流电阻，这一特性有以流过栅极的电流来表示，结型场效应管的RGS可达1000000000欧而绝缘栅场效应管的RGS可超过10000000000000欧。 5、低频跨导漏极电流的微变量与引起这个变化的栅源电压微数变量之比，称为跨导，即： =△ID△VGS 它是衡量场效应管栅源电压对漏极电流控制能力的一个参数，也是衡量放大作用的重要参数，此参灵敏常以栅源电压变化1伏时，漏极相应变化多少微安（μAV）或毫安（AV）来表示。金属氧化物半导体场效应极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅电压增大时，型半导体表面的多数载流子枣空穴减少、耗尽，而电子积累到反型。当表面达到反型时，电子积累层将在+源区和+漏区形成导电沟道。当≠0时，源漏电极有较大的电流流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压。当并取不同数值时，反型层的导电能力将改变，在的下也将产生不同的,现栅源电压对源漏电流的控制。场效应管（）是电场效应控制电流大小的单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流极小，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点，在大规模和超大规模集成电路中被应用。和双极型极管相类似，电极对应关系是、、；由组成的放大电路也和极管放大电路相类似，极管放大电路基极回路一个偏置电流（偏流），而放大电路的场效应管栅极没有电流，放大电路的栅极回路一个合适的偏置电压（偏压）。组成的放大电路和极管放大电路的主要区别：场效应管是电压控制型器件，靠栅源的电压变化来控制漏极电流的变化，放大作用以跨导来；极管是电流控制型器件，靠基极电流的变化来控制集电极电流的变化，放大作用由电流放大倍数来。场效应管放大电路分为共源、共漏、共栅极种组态。在分析种组态时，可与双极型极管的共、共集、共基对照，体会二者间的相似与区别之处。好啦，本期文章放送结束，希望可以帮助到大家呀~

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