英飞凌推新CoolGaN™晶体管提高电源性能

功率MOSFET      
    英飞凌infineon推出全球首款集成肖特基二极管的工业氮化镓（GaN）晶体管产品系列
    集成肖特基二极管的英飞凌CoolGaN™晶体管通过减少不希望的死区时间损失来提高电源系统的性能。
    英飞凌推集成肖特基二极管CoolGaN™晶体管
    英飞凌infineon推出了世界上第一款集成肖特基二极管的氮化镓（GaN）功率晶体管，用于工业用途。带有集成肖特基二极管的中压CoolGaN™晶体管G5产品系列通过减少不希望的死区时间损失来提高电源系统的性能，从而进一步提高整体系统效率。此外，集成解决方案简化了功率级设计并降低了BOM成本。
    在硬开关应用中，由于GaN器件的有效体二极管电压（VSD）较大，GaN基拓扑可能会产生更高的功率损耗。随着控制器死区时间的延长，情况会变得更糟，导致效率低于目标。到目前为止，电源设计工程师通常需要一个与GaN晶体管并联的外部肖特基二极管，或者试图通过他们的控制器减少死区时间。
    所有这些都是额外的努力、时间和成本。英飞凌的新型CoolGaN晶体管G5显著降低了这些挑战，它提供了一种集成肖特基二极管的GaN晶体管，适用于服务器和电信IBC、DC-DC转换器、USB-C电池充电器的同步整流器、高功率PSU和电机驱动器。
    英飞凌infineon中压GaN产品线副总裁AntoineJalabert表示：随着氮化镓技术在电源设计中的应用越来越广泛，英飞凌认识到需要不断改进和增强，以满足客户不断变化的需求，带肖特基二极管的CoolGaN晶体管G5体现了英飞凌致力于加速创新，以客户为中心，进一步突破宽带隙半导体材料的极限。
    由于缺少体二极管，GaN晶体管反向导通电压（VRC）取决于阈值电压（VTH）和截止状态栅极偏压（VGS），此外，GaN晶体管的VTH通常高于硅二极管的导通电压，这导致在反向导通操作（也称为第三象限）期间存在缺点。因此，使用这种新型CoolGaN晶体管，反向导通损耗更低，与更广泛的高侧栅极驱动器兼容，死区时间放宽，控制器兼容性更广，设计更简单。
    几个集成肖特基二极管的GaN晶体管中的第一个是3x5mmPQFN封装中的100V1.5mΩ晶体管。